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獨立創(chuàng )新性的國產(chǎn)存儲將具有更加美好的未來(lái) 7月20日、21日，2018全球存儲半導體大會(huì )暨全球閃存技術(shù)峰會(huì )（簡(jiǎn)稱(chēng)“GSS”大會(huì )）在武漢光谷召開(kāi)，大會(huì )以“構建閃存新生態(tài)”為主題，針對全球閃存和存儲半導體的產(chǎn)業(yè)新生態(tài)、行業(yè)新熱點(diǎn)、企業(yè)新發(fā)展，進(jìn)行了全面的分析和解讀。 在本次大會(huì )SSD設計與控制器技術(shù)論壇上，華瀾微電子總裁駱建軍博士發(fā)表了以《閃存控制器架構》為主題的演講。從自己將近20年的存儲控制器設計經(jīng)驗入手，駱總為在場(chǎng)的嘉賓首先分享了華瀾微的存儲控制器經(jīng)驗，存儲可靠性?xún)?yōu)勢突出的前提下，必須有自己的積累，包括專(zhuān)利積累、IP積累、協(xié)議積累、經(jīng)驗積累，才能夠做好存儲控制器，才能夠得到客戶(hù)的信任，這些技術(shù)基礎不是靠購買(mǎi)和授權可以得到的，中國企業(yè)要進(jìn)一步加強“內功”修煉、重視技術(shù)積累。華瀾微能夠保持出貨量持續高速增長(cháng)、并進(jìn)入國際市場(chǎng)，也是建立在這一基礎上的。
從閃存應用的最初的USB、SD、CF到今天的NVMe 控制器，駱總在演講中分析了在閃存控制器架構方面已經(jīng)有了各種新的變化，以及新的控制器架構方面提出的更多挑戰。所有變化都是為了讓客戶(hù)有更可靠的穩定性、更高的性能和更加經(jīng)濟易用。首先四代和五代PCIe技術(shù)以及更新版本NVMe技術(shù)的發(fā)展，能夠為用戶(hù)提供更高帶寬和更便捷的應用，其次，更加經(jīng)濟性的閃存需要用到糾錯性更好地算法，如LDPC以及未來(lái)更好的糾錯算法，第三，更多的企業(yè)級產(chǎn)品和細分應用的需求都會(huì )對存儲控制器提出更高要求，如Multi Namespace以及具有計算功能的控制器。 未來(lái)控制器的發(fā)展，存儲密度導向和性能導向將會(huì )是存儲控制器未來(lái)發(fā)展的重點(diǎn)。隨著(zhù)閃存制造技術(shù)從SLC、2D發(fā)展到目前的TLC、QLC和3D，成本降低的同時(shí)，存儲密度的增高越來(lái)越快，最近幾年，各國際廠(chǎng)商都提出了高密度的固態(tài)硬盤(pán)，如何提高存儲密度是控制器發(fā)展的重大挑戰。與傳統HDD制造工藝發(fā)展擴展容量困難相比，SSD存儲密度的提高也為數據中心等需要高密度存儲發(fā)展提供了很好的解決方案。對控制器的設計要求上，除了需要驅動(dòng)大量閃存顆粒帶來(lái)尺寸增加外，大量芯片引腳的增加也為存儲大容量小體積的發(fā)展帶來(lái)了很多困難。內置RAID和SWITCH功能的控制器架構將不僅能夠為密度提高增加幫助，還將為數據穩定性提供更多的保障，能夠結合更適合客戶(hù)應用的企業(yè)級產(chǎn)品特性和適應云計算大數據應用需求，將會(huì )更好推進(jìn)國產(chǎn)產(chǎn)品迭代，推動(dòng)中國存儲企業(yè)進(jìn)一步領(lǐng)導存儲發(fā)展。這一技術(shù)上，華瀾微在全球發(fā)表了相關(guān)論文，并取了相關(guān)的中國與美國專(zhuān)利，具體產(chǎn)品實(shí)現方面，我們通過(guò)驅動(dòng)更多閃存介質(zhì)的方法將存儲容量提高到2.5英寸標準9mm厚度下的單盤(pán)10TB和20TB的高密度，為全球客戶(hù)提供了容量密度方面最優(yōu)的選擇。此外，以太網(wǎng)接口將會(huì )是未來(lái)SSD發(fā)展的重要里程，與今天SSD需要通過(guò)其他設備交換數據相比，未來(lái)直接具有以太網(wǎng)接口而不是現在的SATA、SAS、PCIE接口的SSD將會(huì )直接替代NAS、普通服務(wù)器，而更進(jìn)一步，具有SDS（軟件定義存儲）功能的以太網(wǎng)接口SSD，配合成本越來(lái)越低的SDN（軟件定義網(wǎng)絡(luò )）的網(wǎng)絡(luò )交換機，將會(huì )為數據中心、云服務(wù)、個(gè)人應用提供更加簡(jiǎn)單、可靠以及經(jīng)濟的數據服務(wù)。另一方面，存儲性能發(fā)展上，多顆DRAM和多顆閃存的組合以及上層應用系統的配合將會(huì )提供各種組合的NVDIMM，如目前各系統廠(chǎng)商正在使用的NVDIMM-N，未來(lái)進(jìn)一步發(fā)展的NVDIMM-P技術(shù)，這些組合將為需要提高更高IOPS和更多復雜功能如邊緣計算、人工只能算法植入提供更加有效的配合，讓未來(lái)的存儲變得更加高效、可靠以及帶來(lái)更為廣泛的應用，華瀾微在這一方面擁有多項專(zhuān)利，并通過(guò)和國際相關(guān)組織的交流，逐步形成自己的技術(shù)積累，這一技術(shù)目前雖沒(méi)有廣泛應用，但一定是值得國內廠(chǎng)商投入的未來(lái)具有發(fā)展意義的新技術(shù)。尤其是，中國企業(yè)要未雨綢繆，在技術(shù)發(fā)展的初期就介入標準建設、專(zhuān)利積累。借此機會(huì )，我們將可以與國際廠(chǎng)商一起發(fā)展，憑借國產(chǎn)廠(chǎng)商自己獨立的創(chuàng )新性，結合更多的國產(chǎn)規模性細分應用，與國際廠(chǎng)商站在同一個(gè)起跑線(xiàn)上，贏(yíng)取存儲美好應用的未來(lái)。 在存儲關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展方面，駱總特意提到了，在存儲控制器中發(fā)展加密硬件IP的優(yōu)勢和機遇，作為2013年就通過(guò)國密算法認證的存儲控制器企業(yè)，華瀾微利用自己高速加密的優(yōu)勢存儲加密應用上全球出貨量猛增，擁有全球最好的相關(guān)廠(chǎng)商，加密技術(shù)帶來(lái)的隨機離散型數據例如Homogeneous技術(shù)也為數據可靠性提供更好的幫助。國內廠(chǎng)商通過(guò)掌握該技術(shù)并結合國內國密算法的高速加密應用，能夠為自己打開(kāi)另外一扇應用的窗口，并可打破美國AES 256加密算法芯片的禁錮、提供國產(chǎn)芯片基礎上和存儲應用的信息安全。 最后，作為下月的全球閃存峰會(huì )（FMS）組織者之一，駱總邀請各位嘉賓去美國硅谷的圣塔克拉拉參加FMS，并坦言希望有機會(huì )與本次大會(huì )主辦機構一起將FMS帶進(jìn)中國，讓國內存儲企業(yè)有更多和國外同行互動(dòng)的機會(huì )。中國企業(yè)要融入國際市場(chǎng)，通過(guò)這些互動(dòng)可以讓上下游廠(chǎng)商進(jìn)一步有力合作，建造更加廣泛的存儲應用，并將具有自己獨立創(chuàng )新性?xún)?yōu)勢的國內企業(yè)推向全球，讓國產(chǎn)存儲在全球各地的應用落地開(kāi)花，享受到中國存儲帶給他們的美好體驗。
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